GPI65010DF56


GPI65010DF56_V2.2.pdf
Код товару: 190207
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GPI65010DF56 за ціною від 391.91 грн до 391.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GPI65010DF56 GPI65010DF56 GaNPower GPI65010DF56_V2.2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GPI65010DF56 GPI65010DF56_V2.2.pdf
Виробник: GaNPower
Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.