Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > GPI65010DF56

GPI65010DF56

GPI65010DF56_V2.2.pdf
Код товару: 190207
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції GPI65010DF56 за ціною від 385.66 грн до 385.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GPI65010DF56 GPI65010DF56 GaNPower GPI65010DF56_V2.2.pdf Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 400 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GPI65010DF56 GPI65010DF56_V2.2.pdf
GPI65010DF56
Виробник: GaNPower
Description: GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 400 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+385.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.