GS-065-004-1-L-TR Infineon Technologies
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.29 грн |
| 10+ | 208.63 грн |
| 25+ | 171.26 грн |
| 100+ | 146.58 грн |
| 250+ | 138.60 грн |
| 500+ | 130.62 грн |
| 1000+ | 119.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-004-1-L-TR Infineon Technologies
Description: GS-065-004-1-L-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-004-1-L-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GS-065-004-1-L-TR | Виробник : GaN Systems |
 650V, 4A, Enhancement mode GaN Transistor |
товару немає в наявності |
|
 |
GS-065-004-1-L-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-004-1-L-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 1.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |