GS-065-004-6-L-MR

GS-065-004-6-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.


Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-004-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+128.21 грн
500+114.22 грн
750+106.30 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-004-6-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS-065-004-6-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-004-6-L-MR за ціною від 84.37 грн до 287.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-004-6-L-MR GS-065-004-6-L-MR Виробник : Infineon Technologies Infineon-GS-065-004-6-L-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.64 грн
10+182.68 грн
100+124.65 грн
500+104.13 грн
1000+88.93 грн
2500+84.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MR GS-065-004-6-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-004-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 1.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 400 V
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.76 грн
10+181.30 грн
100+144.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MR Виробник : GaN Systems GS-065-004-6-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+131.23 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-004-6-L-MR Виробник : GaN Systems Inc GS-065-004-6-L-MR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.