GS-065-008-6-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-008-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
Description: GS-065-008-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 191.39 грн |
| 500+ | 180.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-008-6-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-008-6-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-008-6-L-MR за ціною від 127.27 грн до 402.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GS-065-008-6-L-MR | Виробник : Infineon Technologies |
 GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GS-065-008-6-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-008-6-L-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 2.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.7mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 54 pF @ 400 V |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GS-065-008-6-L-MR | Виробник : GaN Systems | GS-065-008-6-L-MR |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| GS-065-008-6-L-MR | Виробник : GaN Systems Inc | GS-065-008-6-L-MR |
товару немає в наявності |