Продукція > GAN SYSTEMS INC > GS-065-011-1-L-MR
GS-065-011-1-L-MR

GS-065-011-1-L-MR GaN Systems Inc

gs-065-011-1-l-ds-rev-210914.pdf Виробник: GaN Systems Inc
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+207.42 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-011-1-L-MR GaN Systems Inc

Description: GS-065-011-1-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-011-1-L-MR за ціною від 173.62 грн до 510.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-011-1-L-MR GS-065-011-1-L-MR Виробник : GaN Systems Inc gs-065-011-1-l-ds-rev-210914.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 7-Pin PDFN EP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+317.23 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MR GS-065-011-1-L-MR Виробник : Infineon Technologies GS_065_011_1_L_DS_Rev_220708-3440445.pdf GaN FETs 650V, 11A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+426.57 грн
10+318.95 грн
25+247.19 грн
100+216.29 грн
250+198.63 грн
500+187.60 грн
1000+173.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MR GS-065-011-1-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.11 грн
10+332.05 грн
100+241.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MR Виробник : GaN Systems gs-065-011-1-l-ds-rev-210914.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-1-L-MR GS-065-011-1-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.