Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS-065-011-2-L-MR
GS-065-011-2-L-MR

GS-065-011-2-L-MR Infineon Technologies

GS_065_011_2_L_DS_Rev_220712-3440313.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 11A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.27 грн
10+338.41 грн
100+256.02 грн
250+217.03 грн
500+211.88 грн
1000+180.98 грн
2500+170.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-011-2-L-MR Infineon Technologies

Description: GS-065-011-2-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-011-2-L-MR за ціною від 205.23 грн до 564.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-011-2-L-MR GS-065-011-2-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.88 грн
10+284.77 грн
100+205.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MR GS-065-011-2-L-MR Виробник : GaN Systems GS_065_011_2_L_DS_Rev_220712-3440313.pdf GaN FETs 650V, 11A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.76 грн
10+467.86 грн
25+384.03 грн
100+345.03 грн
250+292.07 грн
500+291.33 грн
1000+250.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+223.68 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+333.49 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MR Виробник : GaN Systems gs-065-011-2-l-ds-rev-210714.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-011-2-L-MR GS-065-011-2-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.