
GS-065-011-2-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Description: GS-065-011-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 440.88 грн |
10+ | 284.77 грн |
100+ | 205.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-011-2-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-011-2-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-011-2-L-MR за ціною від 223.68 грн до 564.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GS-065-011-2-L-MR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GS-065-011-2-L-MR | Виробник : GaN Systems |
![]() |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
GS-065-011-2-L-MR | Виробник : GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GS-065-011-2-L-MR | Виробник : GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
GS-065-011-2-L-MR | Виробник : GaN Systems |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
GS-065-011-2-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-011-2-L-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |