GS-065-011-2-L-TR GaN Systems
на замовлення 3824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 557.07 грн |
| 10+ | 461.49 грн |
| 25+ | 378.80 грн |
| 100+ | 325.10 грн |
| 250+ | 306.96 грн |
| 500+ | 288.09 грн |
| 1000+ | 259.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-011-2-L-TR GaN Systems
Description: GS-065-011-2-L-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-011-2-L-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GS-065-011-2-L-TR | Виробник : GaN Systems |
 Trans MOSFET N-CH GaN 650V 11A 8-Pin PDFN EP |
товару немає в наявності |
||
 |
GS-065-011-2-L-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-011-2-L-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |