на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 509.66 грн |
| 10+ | 421.43 грн |
| 25+ | 346.14 грн |
| 100+ | 310.58 грн |
| 250+ | 262.69 грн |
| 1000+ | 224.96 грн |
| 2500+ | 211.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-011-6-L-MR GaN Systems
Description: GS-065-011-6-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-011-6-L-MR за ціною від 211.89 грн до 509.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS-065-011-6-L-MR | Виробник : Infineon Technologies |
 GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GS-065-011-6-L-MR | Виробник : GaN Systems | GS-065-011-6-L-MR |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
GS-065-011-6-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-011-6-L-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
GS-065-011-6-L-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-011-6-L-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |