Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS-065-014-6-L-MR
GS-065-014-6-L-MR

GS-065-014-6-L-MR Infineon Technologies

Infineon_GS_065_014_6_L_TR_DataSheet_v01_00_EN-3440020.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.78 грн
10+345.49 грн
25+267.77 грн
100+251.81 грн
500+203.19 грн
1000+189.40 грн
2500+185.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-014-6-L-MR Infineon Technologies

Description: GS-065-014-6-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-014-6-L-MR за ціною від 281.92 грн до 587.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-014-6-L-MR GS-065-014-6-L-MR Виробник : GaN Systems Infineon_GS_065_014_6_L_TR_DataSheet_v01_00_EN-3440020.pdf MOSFETs
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+587.55 грн
10+497.37 грн
25+391.86 грн
100+375.89 грн
250+319.29 грн
500+317.11 грн
1000+285.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MR Виробник : GaN Systems GS-065-014-6-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+281.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MR GS-065-014-6-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-014-6-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-014-6-L-MR GS-065-014-6-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-014-6-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.