Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS-065-018-2-L-MR
GS-065-018-2-L-MR

GS-065-018-2-L-MR Infineon Technologies

GS_065_018_2_L_DS_Rev_220921-3440100.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+718.38 грн
10+526.75 грн
100+381.83 грн
500+340.33 грн
1000+302.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-018-2-L-MR Infineon Technologies

Description: GS-065-018-2-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-018-2-L-MR за ціною від 276.44 грн до 791.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-018-2-L-MR GS-065-018-2-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+737.10 грн
10+486.72 грн
100+367.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems GS_065_018_2_L_DS_Rev_220921-3440100.pdf MOSFETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+791.45 грн
10+669.94 грн
25+527.47 грн
100+507.09 грн
250+430.12 грн
500+427.11 грн
1000+407.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems 650V Gen2 GaN, 18A, PDFN 8x8, JEDEC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+276.44 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+394.72 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+422.91 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+493.29 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR GS-065-018-2-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.