GS-065-018-2-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 699.74 грн |
| 10+ | 462.05 грн |
| 100+ | 348.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-018-2-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-018-2-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-018-2-L-MR за ціною від 456.46 грн до 570.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GS-065-018-2-L-MR | Infineon Technologies |
 GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| GS-065-018-2-L-MR | GaN Systems Inc | GS-065-018-2-L-MR |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| GS-065-018-2-L-MR | GaN Systems Inc | GS-065-018-2-L-MR |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| GS-065-018-2-L-MR | GaN Systems Inc | GS-065-018-2-L-MR |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GS-065-018-2-L-MR |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GS-065-018-2-L-MR |
Виробник: GaN Systems Inc
GS-065-018-2-L-MR
GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 456.46 грн |
| GS-065-018-2-L-MR |
Виробник: GaN Systems Inc
GS-065-018-2-L-MR
GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 456.46 грн |
| GS-065-018-2-L-MR |
Виробник: GaN Systems Inc
GS-065-018-2-L-MR
GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 570.45 грн |