Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS-065-018-2-L-MR
GS-065-018-2-L-MR

GS-065-018-2-L-MR Infineon Technologies

GS_065_018_2_L_DS_Rev_220921-3440100.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+719.85 грн
10+527.82 грн
100+382.61 грн
500+341.02 грн
1000+303.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-018-2-L-MR Infineon Technologies

Description: GS-065-018-2-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-018-2-L-MR за ціною від 277.00 грн до 793.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-018-2-L-MR GS-065-018-2-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.60 грн
10+487.71 грн
100+367.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems GS_065_018_2_L_DS_Rev_220921-3440100.pdf MOSFETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+793.07 грн
10+671.30 грн
25+528.54 грн
100+508.13 грн
250+431.00 грн
500+427.98 грн
1000+408.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems 650V Gen2 GaN, 18A, PDFN 8x8, JEDEC
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+277.00 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+390.92 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+418.84 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc GS-065-018-2-L-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+488.55 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-2-L-MR GS-065-018-2-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.