GS-065-018-6-LR-MR Infineon Technologies Canada Inc.



Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-018-6-LR-MR
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+352.48 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-018-6-LR-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS-065-018-6-LR-MR, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V.

Інші пропозиції GS-065-018-6-LR-MR за ціною від 213.56 грн до 657.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GS-065-018-6-LR-MR GS-065-018-6-LR-MR Infineon Technologies Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.67 грн
10+371.23 грн
100+269.24 грн
500+239.64 грн
1000+213.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MR GS-065-018-6-LR-MR Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.34 грн
10+453.48 грн
100+348.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MR Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+533.67 грн
10+371.23 грн
100+269.24 грн
500+239.64 грн
1000+213.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MR
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+657.34 грн
10+453.48 грн
100+348.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.