GS-065-018-6-LR-MR

GS-065-018-6-LR-MR Infineon Technologies Canada Inc.


Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+356.97 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-018-6-LR-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS-065-018-6-LR-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-018-6-LR-MR за ціною від 352.47 грн до 801.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-018-6-LR-MR GS-065-018-6-LR-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-018-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.70 грн
10+459.25 грн
100+352.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MR GS-065-018-6-LR-MR Виробник : GaN Systems Infineon_GS_065_018_6_LR_TR_DataSheet_v01_00_EN-3439998.pdf MOSFETs
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.98 грн
10+677.84 грн
25+533.75 грн
100+512.96 грн
250+435.01 грн
500+432.04 грн
1000+388.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MR GS-065-018-6-LR-MR Виробник : Infineon Technologies Infineon_GS_065_018_6_LR_TR_DataSheet_v01_00_EN-3439998.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 for ultimate efficiency and reliability
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+801.98 грн
10+677.84 грн
25+533.75 грн
100+512.96 грн
250+435.01 грн
500+432.04 грн
1000+388.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-018-6-LR-MR Виробник : GaN Systems GS-065-018-6-LR-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+384.53 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.