GS-065-030-2-L-MR

GS-065-030-2-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.


Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+508.26 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-030-2-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS-065-030-2-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-030-2-L-MR за ціною від 572.20 грн до 1090.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-030-2-L-MR GS-065-030-2-L-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+865.84 грн
10+615.98 грн
100+572.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MR GS-065-030-2-L-MR Виробник : GaN Systems Inc gs-065-030-2-l-ds-rev-210630.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+898.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MR GS-065-030-2-L-MR Виробник : GaN Systems GS_065_030_2_L_DS_Rev_220712-3440415.pdf MOSFETs 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1090.04 грн
10+946.71 грн
25+799.69 грн
50+755.55 грн
100+711.40 грн
250+689.33 грн
500+644.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-MR Виробник : GaN Systems gs-065-030-2-l-ds-rev-210630.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 850V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.