Продукція > GAN SYSTEMS > GS-065-030-2-L-TR
GS-065-030-2-L-TR

GS-065-030-2-L-TR GaN Systems

Виробник: GaN Systems
MOSFET 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+999.93 грн
10+ 868.46 грн
25+ 733.58 грн
50+ 693.09 грн
100+ 652.6 грн
250+ 632.35 грн
500+ 591.19 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-030-2-L-TR GaN Systems

Description: GS-065-030-2-L-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-030-2-L-TR за ціною від 366.64 грн до 366.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GS-065-030-2-L-TR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 850V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+366.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
GS-065-030-2-L-TR Виробник : GaN Systems gs-065-030-2-l-ds-rev-210630.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 850V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
товар відсутній
GS-065-030-2-L-TR GS-065-030-2-L-TR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-030-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товар відсутній