
GS-065-030-2-L-TR GaN Systems
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1075.19 грн |
10+ | 933.82 грн |
25+ | 788.80 грн |
50+ | 745.26 грн |
100+ | 701.72 грн |
250+ | 679.95 грн |
500+ | 635.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-030-2-L-TR GaN Systems
Description: GS-065-030-2-L-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-030-2-L-TR за ціною від 381.38 грн до 381.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
GS-065-030-2-L-TR | Виробник : GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 850V 30A 8-Pin PDFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
GS-065-030-2-L-TR | Виробник : GaN Systems |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
GS-065-030-2-L-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS-065-030-2-L-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |