Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS-065-030-2-L-TR
GS-065-030-2-L-TR

GS-065-030-2-L-TR Infineon Technologies

GS-065-030-2-L-DS-Rev-220712.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+876.87 грн
10+703.48 грн
100+510.40 грн
500+454.44 грн
1000+453.68 грн
3000+386.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-030-2-L-TR Infineon Technologies

Description: GS-065-030-2-L-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS-065-030-2-L-TR за ціною від 379.53 грн до 1120.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS-065-030-2-L-TR GS-065-030-2-L-TR Виробник : GaN Systems GS_065_030_2_L_DS_Rev_220712-3440415.pdf MOSFETs 650V, 30A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1120.35 грн
10+973.04 грн
25+821.93 грн
50+776.56 грн
100+731.19 грн
250+708.50 грн
500+662.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 850V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+379.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TR Виробник : GaN Systems gs-065-030-2-l-ds-rev-210630.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 850V 30A 8-Pin PDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS-065-030-2-L-TR GS-065-030-2-L-TR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-030-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.