GS-065-030-6-LR-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 924.46 грн |
| 10+ | 648.83 грн |
| 100+ | 525.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS-065-030-6-LR-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS-065-030-6-LR-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS-065-030-6-LR-MR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GS-065-030-6-LR-MR | Infineon Technologies |
 GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GS-065-030-6-LR-MR |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)