Продукція > GAN SYSTEMS > GS-065-060-5-B-A-MR
GS-065-060-5-B-A-MR

GS-065-060-5-B-A-MR GaN Systems


Виробник: GaN Systems
MOSFET Automotive 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3365.12 грн
10+ 2956.16 грн
25+ 2417.38 грн
50+ 2368.79 грн
250+ 2021.91 грн
1000+ 1994.24 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS-065-060-5-B-A-MR GaN Systems

Description: GS-065-060-5-B-A-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 16.4mA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції GS-065-060-5-B-A-MR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GS-065-060-5-B-A-MR GS-065-060-5-B-A-MR Виробник : GaN Systems gs-065-060-5-b-a-ds-rev-211025.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A Automotive 6-Pin GaNPX T/R
товар відсутній
GS-065-060-5-B-A-MR GS-065-060-5-B-A-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-060-5-B-A-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 16.4mA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
GS-065-060-5-B-A-MR GS-065-060-5-B-A-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-060-5-B-A-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 16.4mA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній