GS0650086LMRXUSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS0650086LMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.6nC, Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції GS0650086LMRXUSA1 за ціною від 143.08 грн до 307.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS0650086LMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.6nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GS0650086LMRXUSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - GS0650086LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 307.54 грн |
| 10+ | 202.28 грн |
| 100+ | 143.08 грн |