Продукція > INFINEON > GS0650086LTRXUMA1
GS0650086LTRXUMA1

GS0650086LTRXUMA1 INFINEON


Infineon-GS-065-008-6-L-MR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e32752ddd Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.11 грн
5+249.72 грн
10+234.48 грн
50+210.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS0650086LTRXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - GS0650086LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.6nC, Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.235ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).