GS0650112LMRXUSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 369.08 грн |
| 5+ | 348.76 грн |
| 10+ | 327.60 грн |
| 50+ | 293.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS0650112LMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 2.2nC, Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції GS0650112LMRXUSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GS0650112LMRXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies | LEGACY GAN SYSTEMS |
товару немає в наявності |