Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS0650146LRMRXUSA1

GS0650146LRMRXUSA1 Infineon Technologies

Name: GS0650146LRMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 77774917-3
Price: 43445.00 UAH
Availability: InStock

Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9

Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-014-6-LR-MR
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)

на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
250+	173.78 грн

Мінімальне замовлення: 250 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GS0650146LRMRXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 2.7nC, Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції GS0650146LRMRXUSA1 за ціною від 186.46 грн до 460.49 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

GS0650146LRMRXUSA1

INFINEON

Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	222.02 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

GS0650146LRMRXUSA1

Infineon Technologies

Description: GS-065-014-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.01 грн
10+	259.00 грн
100+	186.46 грн

В кошику од. на суму грн.

GS0650146LRMRXUSA1

INFINEON

Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	460.49 грн
10+	308.36 грн
100+	222.02 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

GS0650146LRMRXUSA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	222.02 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

GS0650146LRMRXUSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-014-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	402.01 грн
10+	259.00 грн
100+	186.46 грн

В кошику од. на суму грн.

GS0650146LRMRXUSA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	460.49 грн
10+	308.36 грн
100+	222.02 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.