GS0650182LMRXUSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 286.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS0650182LMRXUSA1 Infineon Technologies
Description: GS-065-018-2-L-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS0650182LMRXUSA1 за ціною від 285.82 грн до 677.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GS0650182LMRXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GS0650182LMRXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GS-065-018-2-L-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V |
на замовлення 283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GS0650182LMRXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|