GS0650302LMRXUSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 582.94 грн |
| 50+ | 498.14 грн |
| 100+ | 420.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS0650302LMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 6.7nC, Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції GS0650302LMRXUSA1 за ціною від 420.69 грн до 843.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS0650302LMRXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6.7nC Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|