Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS0650306LLMRXUMA1
GS0650306LLMRXUMA1

GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+309.28 грн
500+279.33 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 6.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm.

Інші пропозиції GS0650306LLMRXUMA1 за ціною від 333.24 грн до 668.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GS0650306LLMRXUMA1 GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+668.13 грн
10+441.62 грн
100+337.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 GS0650306LLMRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 GS0650306LLMRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+339.99 грн
500+333.24 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+339.99 грн
500+333.24 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+462.87 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+462.87 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
250+529.50 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+538.54 грн
100+511.62 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
GS0650306LLMRXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+668.13 грн
10+441.62 грн
100+337.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
GS0650306LLMRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
GS0650306LLMRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+339.99 грн
500+333.24 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+339.99 грн
500+333.24 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+462.87 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+462.87 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+529.50 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LLMRXUMA1 Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+538.54 грн
100+511.62 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.