GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 6.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm.
Інші пропозиції GS0650306LLMRXUMA1 за ціною від 335.48 грн до 712.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GS0650306LLMRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: GAN POWER TRANSISTORPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
GS0650306LLMRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 6.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| GS0650306LLMRXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 490.09 грн |
| 50+ | 421.49 грн |
| 100+ | 357.35 грн |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 688.26 грн |
| 10+ | 454.93 грн |
| 100+ | 347.76 грн |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 712.93 грн |
| 5+ | 601.92 грн |
| 10+ | 490.09 грн |
| 50+ | 421.49 грн |
| 100+ | 357.35 грн |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 342.27 грн |
| 500+ | 335.48 грн |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 342.27 грн |
| 500+ | 335.48 грн |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 465.98 грн |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 465.98 грн |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 66+ | 542.17 грн |
| 100+ | 515.06 грн |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 545.46 грн |



