
GS1MWG_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 12600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1800+ | 2.26 грн |
3600+ | 1.99 грн |
5400+ | 1.96 грн |
9000+ | 1.69 грн |
12600+ | 1.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS1MWG_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Not For New Designs, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GS1MWG_R1_00001 за ціною від 1.32 грн до 9.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
GS1MWG_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
на замовлення 12871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GS1MWG_R1_00001 | Виробник : Panjit |
![]() |
на замовлення 26710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
GS1MWG_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; SMA-W; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A; Ir: 1uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA-W Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Leakage current: 1µA кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
GS1MWG-R1-00001 | Виробник : Panjit | Small Signal Switching Diodes |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
GS1MWG_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; SMA-W; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A; Ir: 1uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: SMA-W Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Leakage current: 1µA |
товару немає в наявності |