GS2N7002KW Good-Ark Semiconductor
Виробник: Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.34A, 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.20 грн |
| 6000+ | 2.73 грн |
| 9000+ | 2.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS2N7002KW Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.34A, 60V, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V.
Інші пропозиції GS2N7002KW за ціною від 3.39 грн до 15.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS2N7002KW | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.34A, 60V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 30 V |
на замовлення 1827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|