Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > GS3JB
GS3JB

GS3JB Yangjie Technology

GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
Виробник: Yangjie Technology
Description: SMB 600V 3.0A Diodes Rectifier
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.75 грн
15000+2.51 грн
30000+2.37 грн
60000+2.10 грн
120000+1.90 грн
300000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS3JB Yangjie Technology

Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AA, SMB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції GS3JB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GS3JB GS3JB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB GS3JB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3JB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS3JB GS3AB%20THRU%20GS3MB.pdf
GS3JB
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.