GS61004B-TR Infineon Technologies
на замовлення 2251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 390.29 грн |
| 10+ | 322.96 грн |
| 25+ | 264.87 грн |
| 100+ | 227.13 грн |
| 250+ | 214.80 грн |
| 500+ | 202.46 грн |
| 1000+ | 181.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS61004B-TR Infineon Technologies
Description: GS61004B-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V.
Інші пропозиції GS61004B-TR за ціною від 202.86 грн до 202.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GS61004B-TR | Виробник : GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 38A 3-Pin ULGA T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
GS61004B-TR | Виробник : GaN Systems |
 100V enhancement mode GaN transistor |
товару немає в наявності |
|||||
 |
GS61004B-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS61004B-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 13.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 295 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |