GS61008P-MR Infineon Technologies



Виробник: Infineon Technologies
Description: GS61008P-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+349.64 грн
500+319.67 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 250 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS61008P-MR Infineon Technologies

Description: GS61008P-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GS61008P-MR за ціною від 305.69 грн до 684.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GS61008P-MR GS61008P-MR Infineon Technologies Description: GS61008P-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+633.25 грн
10+418.02 грн
100+394.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR GS61008P-MR Infineon Technologies GS61008P-DS-Rev-200402.pdf GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+684.28 грн
10+501.25 грн
100+384.68 грн
500+323.25 грн
1000+305.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS61008P-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+633.25 грн
10+418.02 грн
100+394.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR GS61008P-DS-Rev-200402.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+684.28 грн
10+501.25 грн
100+384.68 грн
500+323.25 грн
1000+305.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.