Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS61008P-MR
GS61008P-MR

GS61008P-MR Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
Description: GS61008P-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+350.48 грн
500+320.44 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS61008P-MR Infineon Technologies

Description: GS61008P-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GS61008P-MR за ціною від 395.30 грн до 863.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GS61008P-MR GS61008P-MR Infineon Technologies Description: GS61008P-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.78 грн
10+419.03 грн
100+395.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR GS61008P-MR Infineon Technologies GS61008P-DS-Rev-200402.pdf GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+863.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+863.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR
GS61008P-MR
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS61008P-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+634.78 грн
10+419.03 грн
100+395.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR GS61008P-DS-Rev-200402.pdf
GS61008P-MR
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR
Виробник: GaN Systems Inc
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+863.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008P-MR
Виробник: GaN Systems Inc
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+863.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.