GS61008P-TR Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 684.28 грн |
| 10+ | 501.25 грн |
| 100+ | 363.47 грн |
| 500+ | 323.98 грн |
| 3000+ | 274.98 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS61008P-TR Infineon Technologies
Description: GS61008P-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції GS61008P-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GS61008P-TR | MOSFET 100V, 90A, GaN E-mode Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
GS61008P-TR | Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS61008P-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| GS61008P-TR | GaN Systems Inc | Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| GS61008P-TR |
MOSFET 100V, 90A, GaN E-mode Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GS61008P-TR |
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS61008P-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Description: GS61008P-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GS61008P-TR |
Виробник: GaN Systems Inc
Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor
Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.