GS61008P-TR Infineon Technologies
на замовлення 9713 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 688.29 грн |
| 10+ | 580.82 грн |
| 25+ | 458.62 грн |
| 100+ | 420.88 грн |
| 250+ | 396.21 грн |
| 500+ | 371.54 грн |
| 1000+ | 334.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS61008P-TR Infineon Technologies
Description: GS61008P-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції GS61008P-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GS61008P-TR | Виробник : GaN Systems |
 Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor |
товару немає в наявності |
|
| GS61008P-TR | Виробник : GaN Systems Inc | Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 5-Pin ULGA T/R |
товару немає в наявності |
||
 |
GS61008P-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS61008P-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |