GS61008PMRXUSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 798.80 грн |
| 5+ | 663.77 грн |
| 10+ | 552.33 грн |
| 50+ | 463.78 грн |
| 100+ | 378.60 грн |
| 250+ | 370.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS61008PMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 8nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції GS61008PMRXUSA1 за ціною від 370.93 грн до 798.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS61008PMRXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - GS61008PMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GS61008PMRXUSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 100V; 65A; Idm: 140A; GaNPX Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 100V Drain current: 65A Pulsed drain current: 140A Case: GaNPX Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |