GS61008PTRXUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008PTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
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Технічний опис GS61008PTRXUMA1 INFINEON
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Інші пропозиції GS61008PTRXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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GS61008PTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS61008PTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GS61008PTRXUMA1 |
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Виробник: INFINEON
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)