Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES CANADA INC. > GS61008T-MR
GS61008T-MR

GS61008T-MR Infineon Technologies Canada Inc.


Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS61008T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+678.00 грн
10+456.19 грн
100+409.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS61008T-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS61008T-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GS61008T-MR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GS61008T-MR GS61008T-MR Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS61008T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR GS61008T-MR Infineon Technologies GS61008T-DS-Rev-200402.pdf GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR
GS61008T-MR
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS61008T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR GS61008T-DS-Rev-200402.pdf
GS61008T-MR
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR
Виробник: GaN Systems Inc
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.