Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES CANADA INC. > GS61008T-MR
GS61008T-MR

GS61008T-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS61008T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+707.52 грн
10+476.05 грн
100+426.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS61008T-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS61008T-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GS61008T-MR за ціною від 335.01 грн до 736.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS61008T-MR GS61008T-MR Виробник : Infineon Technologies GS61008T_DS_Rev_200402-3440263.pdf GaN FETs 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.61 грн
10+621.74 грн
25+490.74 грн
100+471.08 грн
250+400.00 грн
500+396.97 грн
1000+357.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+413.85 грн
500+407.31 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+443.42 грн
500+436.41 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+642.79 грн
26+475.63 грн
50+444.94 грн
100+428.27 грн
200+395.11 грн
500+335.01 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin ULGA T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+714.66 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR GS61008T-MR Виробник : GaN Systems gs61008t-ds-rev-200402.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008T-MR GS61008T-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS61008T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.