Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS61008TMRXUSA1
GS61008TMRXUSA1

GS61008TMRXUSA1 Infineon Technologies

Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS61008T-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+283.92 грн
500+267.15 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS61008TMRXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 8nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції GS61008TMRXUSA1 за ціною від 326.99 грн до 615.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: GS61008T-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.01 грн
10+406.34 грн
100+326.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS61008T-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+615.01 грн
10+406.34 грн
100+326.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS61008TMRXUSA1 Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
GS61008TMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.