Продукція > GAN SYSTEMS > GS66502B-MR
GS66502B-MR

GS66502B-MR GaN Systems

gs66502b-ds-rev-200402.pdf Виробник: GaN Systems
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+629.99 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS66502B-MR GaN Systems

Description: GS66502B-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS66502B-MR за ціною від 378.93 грн до 1189.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS66502B-MR GS66502B-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66502B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1028.98 грн
10+723.88 грн
100+592.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR GS66502B-MR Виробник : Infineon Technologies GS66502B_DS_Rev_200402-3440324.pdf GaN FETs 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 8343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1189.60 грн
10+1033.01 грн
25+873.99 грн
50+826.17 грн
100+776.88 грн
250+752.60 грн
500+704.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+378.93 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+408.08 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+638.52 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR GS66502B-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66502B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.