Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES CANADA INC. > GS66502B-MR
GS66502B-MR

GS66502B-MR Infineon Technologies Canada Inc.


Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66502B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1001.96 грн
10+704.87 грн
100+577.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS66502B-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS66502B-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 2.25A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1.75mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS66502B-MR за ціною від 473.05 грн до 740.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GS66502B-MR GS66502B-MR Infineon Technologies GS66502B-DS-Rev-200402.pdf GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+473.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+473.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+740.18 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR GS66502B-DS-Rev-200402.pdf
GS66502B-MR
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor
на замовлення 3467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR
Виробник: GaN Systems Inc
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+473.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR
Виробник: GaN Systems Inc
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+473.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66502B-MR
Виробник: GaN Systems Inc
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 7.5A 3-Pin GaNPX T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+740.18 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.