GS66502BMRXUSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.6nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1150.21 грн |
| 5+ | 966.37 грн |
| 10+ | 821.58 грн |
| 50+ | 688.11 грн |
| 100+ | 561.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66502BMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.6nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції GS66502BMRXUSA1 за ціною від 561.27 грн до 1150.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS66502BMRXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - GS66502BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.5 A, 0.26 ohm, 1.6 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GS66502BMRXUSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 650V; 6.3A; Idm: 15A; GaNPX Type of transistor: N-JFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 15A Case: GaNPX Gate-source voltage: -10...7V On-state resistance: 516mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |