Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES CANADA INC. > GS66504B-MR
GS66504B-MR

GS66504B-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66504B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+690.77 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS66504B-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS66504B-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS66504B-MR за ціною від 693.85 грн до 1631.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS66504B-MR GS66504B-MR Виробник : Infineon Technologies GS66504B-DS-Rev-200402.pdf GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1219.10 грн
10+929.38 грн
100+698.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MR GS66504B-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66504B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1235.32 грн
10+839.16 грн
100+693.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MR GS66504B-MR Виробник : GaN Systems GS66504B_DS_Rev_200402-3440133.pdf GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1631.20 грн
10+1415.95 грн
25+1198.65 грн
50+1131.89 грн
100+1130.34 грн
250+959.54 грн
1000+885.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MR Виробник : GaN Systems Inc GAN POWER TRANSISTOR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+1014.55 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MR Виробник : GaN Systems Inc GAN POWER TRANSISTOR
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+1087.01 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS66504B-MR GS66504B-MR Виробник : GaN Systems gs66504b-ds-rev-200402.pdf Bottom Side Cooled 650 V E-mode GaN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.