GS66504B-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66504B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66504B-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66504B-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66504B-MR за ціною від 634.34 грн до 1480.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GS66504B-MR | Infineon Technologies |
 GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled |
на замовлення 4324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GS66504B-MR | Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS66504B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GS66504B-MR | GaN Systems |
GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled |
на замовлення 6850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| GS66504B-MR |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 4324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1106.81 грн |
| 10+ | 843.78 грн |
| 100+ | 634.34 грн |
| GS66504B-MR |
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66504B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Description: GS66504B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1166.40 грн |
| 10+ | 792.35 грн |
| 100+ | 655.14 грн |
| GS66504B-MR |
|
Виробник: GaN Systems
GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1480.96 грн |
| 10+ | 1285.53 грн |
| 25+ | 1088.25 грн |
| 50+ | 1027.64 грн |
| 100+ | 1026.23 грн |
| 250+ | 871.16 грн |
| 1000+ | 803.50 грн |