Технічний опис GS66504B-TR Infineon Technologies
Description: GS66504B-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66504B-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GS66504B-TR | GaN Systems |
 GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled |
на замовлення 3111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GS66504B-TR |
|
Виробник: GaN Systems
GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)