GS66504BMRXUSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 856.83 грн |
| 50+ | 742.18 грн |
| 100+ | 635.05 грн |
| 250+ | 622.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66504BMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.3nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції GS66504BMRXUSA1 за ціною від 622.36 грн до 1147.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS66504BMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GS66504BMRXUSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - GS66504BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1147.93 грн |
| 5+ | 1002.38 грн |
| 10+ | 856.83 грн |
| 50+ | 742.18 грн |
| 100+ | 635.05 грн |
| 250+ | 622.36 грн |