GS66506T-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66506T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
Description: GS66506T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1312.30 грн |
| 10+ | 954.85 грн |
| 100+ | 846.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66506T-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66506T-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66506T-MR за ціною від 972.43 грн до 1791.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GS66506T-MR | Виробник : Infineon Technologies |
 GaN FETs 650V, 22.5A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GS66506T-MR | Виробник : GaN Systems |
Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| GS66506T-MR | Виробник : GaN Systems Inc | GAN POWER TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
GS66506T-MR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS66506T-MR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |