GS66506T-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66506T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1295.65 грн |
| 10+ | 942.73 грн |
| 100+ | 836.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66506T-MR Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66506T-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66506T-MR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GS66506T-MR | Infineon Technologies | GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GS66506T-MR |
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)