GS66506T-TR Infineon Technologies
на замовлення 3362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1795.55 грн |
| 10+ | 1560.09 грн |
| 25+ | 1320.55 грн |
| 50+ | 1246.24 грн |
| 100+ | 1173.41 грн |
| 250+ | 1136.63 грн |
| 500+ | 1063.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66506T-TR Infineon Technologies
Description: GS66506T-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66506T-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GS66506T-TR | Виробник : GaN Systems |
 Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor |
товару немає в наявності |
||
 |
GS66506T-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS66506T-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6.7A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 5mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |