Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES CANADA INC. > GS66508B-MR
GS66508B-MR

GS66508B-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66508B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+1015.73 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS66508B-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS66508B-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS66508B-MR за ціною від 1018.61 грн до 2303.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS66508B-MR GS66508B-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66508B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1620.27 грн
10+1146.82 грн
100+1018.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MR GS66508B-MR Виробник : Infineon Technologies GS66508B_DS_Rev_200402-3440032.pdf GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 6372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2303.66 грн
10+2017.79 грн
25+1636.89 грн
50+1586.13 грн
100+1542.72 грн
250+1319.81 грн
500+1285.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MR
Код товару: 169559
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MR GS66508B-MR Виробник : GaN Systems gs66508b-ds-rev-200402.pdf Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508B-MR Виробник : GaN Systems Inc Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.