GS66508B-TR Infineon Technologies
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2272.29 грн |
| 10+ | 1990.31 грн |
| 25+ | 1614.60 грн |
| 50+ | 1564.53 грн |
| 100+ | 1513.73 грн |
| 250+ | 1413.59 грн |
| 500+ | 1292.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66508B-TR Infineon Technologies
Description: GS66508B-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66508B-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GS66508B-TR | Виробник : GaN Systems |
 Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor |
товару немає в наявності |
||
 |
GS66508B-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS66508B-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |