Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS66508T-TR
GS66508T-TR

GS66508T-TR Infineon Technologies

GS66508T_DS_Rev_200402-3439751.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2324.53 грн
10+2036.07 грн
25+1651.72 грн
50+1600.50 грн
100+1548.53 грн
250+1446.09 грн
500+1322.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS66508T-TR Infineon Technologies

Description: GS66508T-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS66508T-TR за ціною від 697.84 грн до 697.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS66508T-TR Виробник : GaN Systems Inc gs66508t-ds-rev-180424.pdf Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+697.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-TR Виробник : GaN Systems Inc gs66508t-ds-rev-180424.pdf Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+697.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-TR GS66508T-TR Виробник : GaN Systems gs66508t-ds-rev-200402.pdf Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66508T-TR GS66508T-TR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66508T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.