Технічний опис GS66508T-TR Infineon Technologies
Description: GS66508T-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 9A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66508T-TR за ціною від 810.89 грн до 810.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GS66508T-TR | GaN Systems Inc |
 Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| GS66508T-TR | GaN Systems Inc |
Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GS66508T-TR |
|
Виробник: GaN Systems Inc
Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 810.89 грн |
| GS66508T-TR |
|
Виробник: GaN Systems Inc
Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
Top-Side Cooled 650 V E-Mode GaN Transistor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 810.89 грн |