Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > GS66516B-MR
GS66516B-MR

GS66516B-MR Infineon Technologies

GS66516B_DS_Rev_211025-3439871.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3318.12 грн
10+2841.16 грн
100+2238.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS66516B-MR Infineon Technologies

Description: GS66516B-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS66516B-MR за ціною від 2991.56 грн до 3205.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS66516B-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2991.56 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MR Виробник : GaN Systems Inc Trans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 6-Pin ULGA T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+3205.24 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MR GS66516B-MR Виробник : GaN Systems gs66516b-ds-rev-211025.pdf Bottom-Side Cooled 650V E-Mode GaN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MR GS66516B-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66516B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-MR GS66516B-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66516B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.