GS66516B-TR Infineon Technologies
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3193.97 грн |
| 10+ | 2734.91 грн |
| 100+ | 2081.77 грн |
| 500+ | 2081.01 грн |
| 1000+ | 2080.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66516B-TR Infineon Technologies
Description: GS66516B-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA, Supplier Device Package: Die, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V.
Інші пропозиції GS66516B-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GS66516B-TR | Виробник : GaN Systems |
 Bottom-side cooled 650 V E-mode GaN transistor |
товару немає в наявності |
|
 |
GS66516B-TR | Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. |
Description: GS66516B-TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |