GS66516BMRXUSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: GS66516B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 1661.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66516BMRXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 14.2nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції GS66516BMRXUSA1 за ціною від 1958.23 грн до 3851.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS66516BMRXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GS66516B-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
GS66516BMRXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 14.2nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
GS66516BMRXUSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
GS66516BMRXUSA1 |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
GS66516BMRXUSA1 |
товару немає в наявності |