GS66516BMRXUSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS66516B-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GS66516BMRXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 14.2nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції GS66516BMRXUSA1 за ціною від 1845.12 грн до 4167.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GS66516BMRXUSA1 | Infineon Technologies |
Description: GS66516B-MR Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +7V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Supplier Device Package: Die Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
GS66516BMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 14.2nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
GS66516BMRXUSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| GS66516BMRXUSA1 | Infineon Technologies |
GS66516BMRXUSA1 |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GS66516BMRXUSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS66516B-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: GS66516B-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2375.39 грн |
| 10+ | 1845.12 грн |
| GS66516BMRXUSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.2nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.2nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GS66516BMRXUSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GS66516BMRXUSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GS66516BMRXUSA1
GS66516BMRXUSA1
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4167.87 грн |
| 10+ | 3699.57 грн |
| 25+ | 3474.79 грн |
| 50+ | 3070.71 грн |
| 100+ | 2726.18 грн |