Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES CANADA INC. > GS66516T-MR
GS66516T-MR

GS66516T-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Виробник: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66516T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2257.06 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS66516T-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS66516T-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GS66516T-MR за ціною від 1838.43 грн до 4094.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GS66516T-MR GS66516T-MR Виробник : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66516T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2862.53 грн
10+2111.25 грн
100+1838.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-MR GS66516T-MR Виробник : Infineon Technologies GS66516T_DS_Rev_210727-3439836.pdf GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
на замовлення 3818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3124.20 грн
10+2611.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-MR GS66516T-MR Виробник : GaN Systems Inc gs66516t-ds-rev-210727.pdf Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+3127.52 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-MR GS66516T-MR Виробник : GaN Systems GS66516T_DS_Rev_210727-3439836.pdf GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4094.93 грн
10+3596.49 грн
25+2941.99 грн
50+2872.84 грн
250+2471.16 грн
1000+2427.01 грн
2500+2426.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-MR Виробник : GaN Systems gs66516t-ds-rev-180422.pdf Top-side cooled 650 V E-mode GaN transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.