Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSFB3123

GSFB3123 Good-Ark Semiconductor

Name: GSFB3123
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 71776570-3
Price: 19710 UAH
Availability: InStock

Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V

на замовлення 5400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.57 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GSFB3123 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції GSFB3123

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	GSFB3123	Виробник : Good-Ark Semiconductor	Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.