GSFP1526 Good-Ark Semiconductor


GSFP1526.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+59.80 грн
10+50.63 грн
25+47.56 грн
100+36.43 грн
250+33.83 грн
500+28.80 грн
1000+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GSFP1526 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 101W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції GSFP1526

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GSFP1526 GSFP1526 Good-Ark Semiconductor GSFP1526.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.