Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSFTL2R710

GSFTL2R710 Good-Ark Semiconductor

Name: GSFTL2R710
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 70082522-3
Price: 180200 UAH
Availability: InStock

Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	90.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GSFTL2R710 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: TOLL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V.

Інші пропозиції GSFTL2R710

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	GSFTL2R710	Виробник : Good-Ark Semiconductor	Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.