Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSFX65R220

GSFX65R220 Good-Ark Semiconductor

Name: GSFX65R220
Brand: Good-Ark Semiconductor
SKU: 52944813-3
Price: 258825 UAH
Availability: InStock

Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	103.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GSFX65R220 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65, Packaging: Tape & Reel (TR), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 4-DFN (8x8), Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V.

Інші пропозиції GSFX65R220

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	GSFX65R220	Виробник : Good-Ark Semiconductor	Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 4-DFN (8x8) Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.